收藏本站
NP88N03KDG
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-263 (MP-25ZK)
10.0±0.3
4.45±0.2
No plating
7.88 MIN.
4
0.025 to
0.25
1.3±0.2
0.75±0.2
0 .5 ±
0.2
2.54
0 to
8 o
0.25
1
2
3
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Gate
Body
Diode
Source
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
6
Data Sheet D17404EJ3V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NP88N03KUG-E1-AY MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
NP88N04KUG-E1-AZ MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
NP88N04NUG-S18-AY MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
NP88N055KUG-E1-AY MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
NP88N075MUE-S18-AY MOSFET N-CH 75V 88A TO-220
NP90N03VUG-E1-AY MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
NP90N04MUG-S18-AY MOSFET N-CH 40A 90A TO-263
NP90N04VDG-E1-AY MOSFET N-CH TO-252
相关代理商/技术参数
NP88N03KUG-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP88N03KUG-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP88N03KUG-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,30V/88A
NP88N04CHE 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP88N04CHE-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP88N04CHE-E1-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP88N04CHE-S12-AZ 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
NP88N04DHE 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 88A I(D) | TO-262AA